余睽杨明理等提出二元半导体纳米晶形成新机理
发表时间:2013/9/17    点击次数:1114



    近日,《Angewandte Chemie International Edition》(IF = 13.734)发表了加拿大国家研究院余睽博士和我所杨明理教授的合作论文“The Formation Mechanism of Binary Semiconductor Nanomaterials: Shared by Single-Source and Dual-Source Precursor Approaches”(doi: 10.1002/anie.201304958)。二元纳米晶制备中常采用单前驱体和双前驱体两种方法。研究组通过实验和DFT计算发现,这两种方法具有共同的反应机理。通过调控化学平衡,可以实现两种方法的相互转化,并在低温下得到高品质纳米晶。这项研究是前期工作“Effect of Tertiary and Secondary Phosphines on Low-Temperature Formation of Quantum Dots”(Angew. Chem. Int. Ed., 2013, 52, 4823-4828)的深化,进一步揭示了量子点形成过程的微观机制,将有利于提高量子点材料的制备和应用技术。