余睽杨明理等提出二元半导体纳米晶形成、新机理

       近日,《Angewandte Chemie International Edition》(IF = 13.734)发表了加拿大国家研究院余睽博士和四川大学原子与分子物理研究所杨明理教授的合作论文“The Formation Mechanism of Binary Semiconductor Nanomaterials: Shared by Single-Source and Dual-Source Precursor Approaches”(doi: 10.1002/anie.201304958)。二元纳米晶制备中常采用单前驱体和双前驱体两种方法。研究组通过实验和DFT计算发现,这两种方法具有共同的反应机理。通过调控化学平衡,可以实现两种方法的相互转化,并在低温下得到高品质纳米晶。这项研究是前期工作“Effect of Tertiary and Secondary Phosphines on Low-Temperature Formation of Quantum Dots”(Angew. Chem. Int. Ed., 2013, 52, 4823-4828)的深化,进一步揭示了量子点形成过程的微观机制,将有利于提高量子点材料的制备和应用技术。